Новини світу hardware

Для тих, хто не уявляє свого життя без комп’ютерів

Флешка на 100 гігабайт

Buffalo SHD-UHRSЯпонська компанія Buffalo випустила флешку SHD-UHRS об’ємом в 100 гігабайт, пише Engadget. Пристрій має розміри візитної картки і важить близько 60 грамів. Ціна SHВ-UHRS - 952 долари. 32-гігабайтна модель коштує 312 доларів, а 64 гігабайтна - 665. Поки невідомо, чи буде пристрій продаватися за межами Японії.Щоб добитися такої ємкості накопичувача, розробникам довелося сумістити в пристрої відразу два види флеш-памяті.

До сих пір флешки з габаритами менше 2,5 дюймів і об’ємом понад 64 гігабайти не продавалися, оскільки вони надзвичайно дорогі.

Восени Samsung вдалося створити накопичувач на основі 30-нанометрового технологічного процесу і довести об’єм SSD-дисків до 64 гігабайт. В грудні Intel показала найменший твердотілий накопичувач, ємкість якого в 2008 році досягне 16 гігабайт. У березні 2008 року повинен вийти 2,5-дюймовий E-disk Altima Ata-133 компанії BITMICRO, що вміщає 416 гігабайт даних.

Джерело: zalizo.net.ua

Коментарів: 0

Intel і Micron: нова флеш-пам’ять в 5 разів швидше звичайної

Компанія IM Flash Technologies (IMFT), спільне підприємство Intel і Micron, оголосила про розробку нової флеш-пам’яті типу NAND із збільшеною швидкістю передачі даних. На думку інженерів, їх досягнення стане могутнім імпульсом для розвитку індустрії накопичувачів і систем зберігання даних. Особливі надії покладаються на сферу твердотільних дисків SSD (Solid State Drive) і гібридних жорстких дисків.Високошвидкісна флеш-пам’ять створювалася компанією IMFT відповідно до останньої версії специфікацій ONFi 2.0. Дані технічні умови затверджені однойменною робочою групою ONFi (Open NAND Flash Interface). У її склад входять більше 70 компаній, зокрема Hynix, Intel, Micron, Phison, Sony, STMicroelectronics. Специфікації ONFi 2.0 обумовлюють поліпшення швидкодії флеш-пам’яті NAND, в першу чергу, за рахунок прискорення роботи інтерфейсу введення-виводу. Для цього прийнятий ряд дієвих заходів, зокрема використана синхронна передача даних по методу DDR (Double Data Rate), який дозволяє подвоїти ширину пропускання каналу без збільшення частоти. В результаті учасниками робочої групи ONFi вдалося поліпшити пропускну спроможність інтерфейсу флеш-пам’яті 133 Мб/с.Фахівці компанії IMFT пішли ще далі, запропонувавши використовувати високощільні багаторівневі (Multi-Level Cell, MLC) мікросхеми флэш-пам’яті нового покоління. У результаті максимальну швидкість читання для NAND-продуктів вдалося підняти до 200 Мб/с, а швидкість запису - до 100 Мб/с. Для порівняння, швидкісні характеристики традиційної флеш-пам’яті з однорівневою (Single-Level Cell, SLC) архітектурою і асинхронним інтерфейсом обмежені 40 Мб/с і 20 Мб/с для читання і запису відповідно. Перші пробні партії багаторівневих NAND-мікросхем від IMFT з’явилися ще в минулому році. Вони випущені на власних виробничих потужностях з використанням норм 50-нм техпроцесса. По планах розробників, нова високошвидкісна флеш-пам’ять з MLC-архітектурою, відповідна специфікаціям ONFi 2.0, вступить в стадію масового виробництва тільки наступного року.Крім того, фахівцями Intel і Micron підготовлені тестові зразки одноурівневих мікросхем NAND-пам’яті з синхронним інтерфейсом, які відповідають технічним вимогам ONFi 2.0. Дані SLC-чіпи мають ємкість 8 Гбіт і проводяться по 50-нм техпроцессу силами компанії IMFT. Статус серійних продуктів їм буде привласнений вже в другій половині поточного року.Джерело: zalizo.net.ua

Коментарів: 0