Новини світу hardware

За час, що пройшов з моменту анонса чіпсета Intel P35 і появи материнських плат, що працюють з новою DDR3 SDRAM. 
Відразу попередимо: всі, що серійно випускаються навіть виробниками, шанованими в середовищі оверклокерів DDR3 SDRAM в даний час викликає лише розчарування. Річ у тому, що що масово поставляється DDR3 пам'ять змогла дорости в кращому разі лише до частоти 1333 Мгц з таймінгамі 7-7-7-20, що на тлі доступності оверклокерської DDR2 SDRAM з частотою 1250 Мгц  і затримками 5-5-5-18 виглядає, м'яко кажучи, декілька мізерний. Деяку надію на виправлення ситуації дає недавній анонс компанією Super Talent модулів DDR3-1600 з таймінгамі 7-7-7-18, але, всупереч затвердженням цього виробника, така пам'ять фактично недоступна для звичайних користувачів. Таким чином для дослідження того виграшу, який здатні дати застосування в сучасних системах на базі процесорів Core 2 Duo пам'яті типу DDR3 SDRAM, нам довелося задовільнятися модулями DDR3-1333 SDRAM.Комплект TWIN3X2048-1333C9DHX- найшвидкісніша на сьогодні DDR3 пам'ять від Corsair. Вона розрахована на частоту 1333 Мгц, але, не дивлячись на використання фірмових масивних радіаторів Dual Heat Exchange, розрахована на роботу при дуже слабких затримках 9-9-9-24. Відповідно, це - один з найповільніших комплектів DDR3-1333 SDRAM на сьогоднішній день.Не рятує Corsair TWIN3X2048-1333C9DHX і розгін. Підвищення напруги живлення цієї пам'яті з штатних 1.5 В до 1.8 В дозволяє запустити цю пам'ять на частоті 1333 Мгц лише при таймінгах 8-8-8-22. Максимальна ж частота з такими затримками і напрузі, при якій модулі зберігають здібність до стабільної роботи, складає 1380 МГц.Є варіанти і трохи кращі. Наприклад, вельми якісну DDR3-1333 SDRAM пропонує компанія Kingston. В даному випадку йдеться про модулі KHX11000D3LLK2/2G.

Ці модулі розраховані на роботу на частоті 1375 Мгц з таймінгамі 7-7-7-20 при напрузі 1.7 В. Дана топова пропозиція компанії Kingston знаменно тим, що вона широко доступна в магазинах, а значить саме ця пам'ять здатна забезпечити сьогодні найвищу продуктивність DDR3 системах звичайних користувачів.
При розгоні модулі Kingston HyperX KHX11000D3LLK2/2G дозволяють досягти злегка вищих частот, ніж заявлено в специфікації. Наприклад, при підвищенні напруги до 1.8 У вони працюють цілком стабільно на частоті 1420 Мгц з своїми штатними таймінгамі 7-7-7-20. На жаль, подальше збільшення напруги тільки погіршує результати розгону. Не дає істотного ефекту і послаблення таймінгов, при затримках 8-8-8-22 модулями від Kingston досягається лише частота 1440 МГц.е
Не міг залишитися в стороні від випуску оверклокерськіх модулів DDR3 SDRAM і інший відомий виробник, компанія OCZ Technology. Ця фірма увійшла до "клубу DDR3-1333" завдяки випуску комплекту OCZ DDR3 PC3-10666 Platinum Dual Channel. Даний комплект орієнтований на роботу при частоті 1333 Мгц із затримками 7-7-7-20. Рекомендована виробником напруга рівне 1.8 В. Модули OCZ DDR3 PC3-10666 Platinum Dual Channel грунтуються на тих же самих чіпах від компанії Elpida, що і модулі компанії Kingston. Тому, їх поведінка при розгоні вельми схоже на те, як поводяться "планки" Kingston HyperX KHX11000D3LLK2/2G. У наших дослідах модулі DDR3-1333 від OCZ розігналися до 1410 Мгц, а при послабленні таймінгов до 8-8-8-22 - до 1440 Мгц. Слід зазначити, що і в даному випадку підвищення напруги на пам'яті вище за штатних 1.8 В тільки погіршує результати разгона. Як бачимо  пам'ять, що є на ринку DDR3-1333не може похвастати видатними результатами розгону, незважаючи навіть на те, що пропонують її компанії, що добре зарекомендували себе як постачальники оверклокерської DDR2 пам'яті. Вартість же комплектів DDR3-1333 SDRAM при цьому відчутно перевищує ціну повільніших модулів. У цьому світлі виникає бажання познайомитися з оверклокерськімі властивостями дешевшої DDR3-1066 пам'яті. Для прикладу ми вибрали продукт компанії Super Talent, пару модулів W1066UX2G7. Ці DDR3 модулі орієнтовані на експлуатацію при частоті 1067 Мгц з таймінгамі 7-7-7-15, не вимагаючи підвищення напруги відносно номінальних 1.5 В. Підвищення напруги до 1.8 В дозволяє достатньо сильно наростити потенціал цих модулів. При такій напрузі і таймінгах 7-7-7-20 вони показують стабільну працездатність на частоті 1340 Мгц. Погіршення ж затримок до 8-8-8-22 не дає такого помітного результату: у таких умовах модулі працюють лише на частоті 1370 Мгц. Проте, можна сказати, що оверклокерська DDR3-1066 пам'ять на відміну від DDR3-1333, може розігнатися до наступного швидкісного ступеня.
 Джерело : www.fcenter.ru

Відомо, що 32-бітні операційні системи не дозволяють використовувати більше 3,2 GB оперативної пам'яті, в цьому випадку роблячи практично безглуздою установку більше 4 GB ОЗУ. Проте компанія GeIL ризикнула першою випустити в роздрібний продаж комплект пам'яті місткістю 8 GB (у вигляді чотирьох модулів по 2 GB кожен). Новинка є флагманською в лінійці Black Dragon, що позиціонується як краща пам'ять для геймерів. Варто віддати належне дизайнерам - зовнішній вигляд упаковки і самих модулів відмінний, відповідно немала ціна набору. Оскільки штатна частота складає стандартні 800 MHz при таймінгах 5-5-5-15-2Т і напрузі 1,8 В, то нагрів чіпів невеликий, і можна обійтися без установки тепловідводу. Зате в центрі кожного модуля нанесено позолочене зображення дракона з очима-світлодіодами.

Практичне тестування показало, що заявлені характеристики виявилися майже граничними для об'ємного комплекта- ми не змогли підняти частоту 830 MHz. Тому любителів розгону GeIL Black Dragon сильне розчарує. Геймерске позиціонування теж сумнівне, оскільки більше 4 GB поки жодна гра не вимагає. Професійні користувачі, безумовно, одержать приріст швидкодії відповідних додатків, якщо займаний ними об'єм ОЗУ перевищує 4 GB. І звичайно ж, придбати цей і подібні набори слід тільки власникам ПК зі встановленою 64-бітною ОС. На домашніх же системах така величезна місткість ОЗУ поки не затребувана. А до того моменту, коли виникне реальна необхідність - вже будуть набагато більш продуктивні, чим DDR2-800, стандарти.

Джерело : www.dpk.com.ua

Південнокорейска компанія Hynix Semiconductor анонсувала випуск модулів пам'яті 2-Rank 8GB PC2-4200 RDIMM, в яких використовується технологія MetaSDRAM компанії MetaRAM. Модулі HYMP31GP72CUP4-C6 дозволяють подвоїти об'єм пам'яті систем на базі AMD Opteron і Intel Xeon. При цьому новинки по енергетичній ефективності перевершують стандартні чотирьохрангові модулі об'ємом 8 ГБ і двохрангові об'ємом 4 ГБ. За оцінкою компанії виграш може досягати 30%. Ця технологія MetaRAM дає можливість використовувати недорогі компоненти DRAM для виробництва DIMM нового покоління високої щільності, не збільшуючи кількість рангів і навантаження на процесор. У нових модулях Hynix Semiconductor використовуються масові компоненти DDR2 SDRAM щільністю 1 ГБіт, а не дорожчі компоненти щільністю 2 Гбіт, що позитивно позначається на ціні виробу. У набір мікросхем MetaSDRAM входять контролери потоку і менеджер доступу, які розташовані між контролером пам'яті і DRAM. Ця схема дає можливість використовувати в одному модулі в чотири рази більше компонентів DRAM, чим звичайно, без яких-небудь змін на апаратному і програмному рівні. Чипсет «показує» контролеру пам'яті декілька чіпів DRAM, як один великої щільності. Модулі HYMP31GP72CUP4-C6 вже випускаються серійно. В процесі розробки знаходяться двохрангові модулі DDR3 RDIMM об'ємом 8 ГБ. Вивести їх на ринок виробник обіцяє в другому кварталі.
Джерело: www.ixbt.com